Etch Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]

2020.08.05 14:15

티거짱76 조회 수:1426

안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.

 

 

 

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24457
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73148
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105312
56 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 692
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 614
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1125
53 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1753
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 602
51 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1402
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 924
49 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1062
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 749
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 861
46 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1536
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1416
44 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2762
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3063
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4360
41 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1987
40 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3741
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1332
» Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1426
37 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3157
쓰기
태그

Boards

XE Login