Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]

2021.10.22 11:47

바나나우유a 조회 수:2023

안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102590
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24653
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73428
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105728
56 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 720
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 628
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1160
53 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1789
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 608
51 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1433
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 947
49 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1075
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 761
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 875
46 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1568
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1439
44 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2776
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3140
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4379
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2023
40 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3825
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1338
38 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1439
37 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3203
쓰기
태그

Boards

XE Login