최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102109
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24548
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73272
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105487
76 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 497
75 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 490
74 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 462
73 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 458
72 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 322
71 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 439
70 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4864
69 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 416
68 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 607
67 플라즈마 식각 커스핑 식각량 220
66 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 581
65 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 608
64 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 596
63 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1393
62 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 626
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 574
60 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1049
» GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1000
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 634
57 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1035

Boards


XE Login