Etch center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2

2023.09.14 07:59

초코우유 조회 수:596

상세한 답변 정말 감사합니다!! 추가 질문이 있습니다. 
1. 현업에서 스크레치와 같은 defect들은 대부분 edge에서 일어난다고 알고있습니다. 그렇다면 etch 공정 기술 엔지니어로서, edge의 수율을 높이는 방법에는 무엇이 있을까요? 

저는 이 방법을 center to edge 균일도 제어로 생각해서 위와 같은 질문을 드렸는데, 여기서는 추가 부품을 사용하는 방법을 써야하므로 공정 레시피 측면에서 제어할 요소가 적다고 말씀하셔서 추가 질문 드립니다! 

2. 양산 수율 달성 측면에서, 높은 aspect ratio로 인한 문제가 핵심인 것이 맞나요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102110
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24548
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61200
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73274
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105491
76 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 501
75 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 494
74 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 462
73 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 458
72 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 322
71 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 439
70 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4864
69 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 416
68 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 607
67 플라즈마 식각 커스핑 식각량 220
66 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 581
65 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 608
» center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 596
63 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1394
62 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 626
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 574
60 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1049
59 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1000
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 634
57 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1035
쓰기
태그

Boards

XE Login