번호 제목 조회 수
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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 75962
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 109901
56 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 820
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 708
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1258
53 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1914
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 667
51 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1542
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 1035
49 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1152
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 826
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 4683
46 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1759
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1503
44 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2850
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3315
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4476
41 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2158
40 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 4036
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1381
38 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1486
37 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3306
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