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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[327]
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
[3] | 12960 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3029 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4129 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 6837 |
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poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 6117 |
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안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법]
[1] | 18480 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
[2] | 4792 |
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N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate]
[2] | 24125 |
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Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술]
[1] | 22752 |
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Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스]
[1] | 23176 |
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포]
[5] | 31965 |
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RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
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ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma]
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
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