Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.
2004.06.25 16:44
te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.
저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.
저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
17 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7714 |
16 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6573 |
15 | O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] | 6467 |
14 | 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 | 6120 |
13 | HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] | 4022 |
12 | Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] | 3072 |
11 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2599 |
10 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1210 |
9 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1110 |
8 | 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] | 917 |
7 | ICP 후 변색 질문 | 743 |
6 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 699 |
5 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 639 |
4 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 630 |
3 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 430 |
2 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 218 |
1 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 197 |