플라즈마 공부를 막 시작한 사회 초년생입니다
high votage를 가하면 충돌 단면적이 작아지고 mean free path가 커지는 이유가
궁금합니다.
이온화가 일어날 최대 확률(충돌 단면적)이 100ev에서 발생하는데
그 이상에선 감소하는데 그 이유를 알고싶습니다
댓글 1
-
관리자
2004.11.20 11:16
이 모두 속도와 관련이 있다고 볼 수 있습니다. high voltage나 에너지가 놓아질수록 속도가 높아집니다. 속도가 높아지면 hard sphere가 아닌 이상 polarization effect등으로 충돌 단면적이 작아지고(속도가 느리면 전단지 뿌리는 사람의 전단지를 받지만 속도가 빠르면 옆에 전단지 주는 사람을 그냥 지나치는 경우가 같다고 볼수 있겠네요) 충돌할 확률이 작아지니 더 멀리 가게 되서 mean free path가 커지게 됩니다. 이온화가 일어날 최대 확률도 높은 에너지를 가진 입자들이 속도가 높기 때문에 같은 이치로 감소하게 됩니다. 좀더 아시고 싶으시면 Michael A. Lieberman "Principles of plasma discharges and materials processing"의 앞쪽 부분을 참조하세요
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77065 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20383 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57293 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68839 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92841 |
801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 25 |
800 | Druyvesteyn Distribution | 27 |
799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 37 |
798 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 42 |
797 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 43 |
796 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 45 |
795 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 45 |
794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 53 |
793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 77 |
790 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 86 |
789 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 87 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 90 |
787 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 98 |
785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 105 |
784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 107 |
783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 111 |
782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |