ESC SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리]
2018.08.01 11:16
안녕하세요. 반도체회사에 다니고 있습니다.
Plasma와 연관성이 없을 수 있는 질문인데요..
Si Wafer가 ESC Chucking Voltage의 Damage(??)에 의해 Edge Broken이 발생할 수 있는지 궁금합니다. (2500v)
ESC를 사용하다가 1년 이상되면 Broken이 발생하고, Broken 주기는 점점 빨라집니다.
ESC의 오랜 사용에 의한 노화 현상은 맞는거 같은데 어떤 영향성으로 발생하는지 궁금해서요...(ESC 교체시 정상되네요)
Plasma On/Off와는 연관성이 없었습니다.
댓글 2
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김곤호
2018.08.08 14:18
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서태현
2020.07.20 12:02
안녕하세요. RF power 회사에 다니는 서태현입니다.
ESC의 딤플의 두께는 사용주기에 따라 닳게 됩니다. 이 또한 wafer broken의 원인이며 딤플의 두께가 일정치 않고 높낮이가 다르면 broken 유발 및 공정처리 불량을 유발할 수 있습니다.
그에 의해서 broken 되는 경우가 있고 보통 ESC power를 모니터링 해보시면 더 좋으실 텐데 똑같은 wafer를 삽입시에 -전압(척킹) +전압(디척킹) 이 정상치보다 낮게 나온다. 이 또한 wafer broken의 원인입니다. 전류 자체가 높아져 broken 됩니다.
결과적으로 ESC도 소모성 장비이기 때문에 주기적으로 고장났다고 하셨으면 ESC power supply 점검 후에 주기적 수리나 교체가 필요할 것 같습니다.
정적척의 구동 원리를 한 번 연구해 보시면 어떨까요? ESC 노후 문제라 판단이 서셨는데, 저도 동의합니다. 너무 세게 chucking 하고 있으면 wafer가 자주 부서지곤 했었습니다. Chucking 구동 원리를 공부해 보세요.