안녕하세요, KAIST 핵융합 및 플라즈마 연구실 소속 석사과정 권대호입니다.

다름이 아니라, 저희 연구실에서 사용하는 CCP 장비에서 접지 관련으로 보이는 문제가 발견되어 질문 드립니다.


첨부한 사진과 같이 구성되어 있는 CCP 챔버에서, 상부전극에는 13.56MHz RF Power 를 인가하고, 하부전극은 수도관에 접지해두었습니다. 또한, 챔버역시 동일한 수도관에 연결하여 접지하여 연결하였습니다. (접지 연결은 동축케이블을 사용하였습니다.)


이후 RF Power 를 인가한 뒤 하부 전극의 전압을 오실로스코프로 측정할 때, 해당 전극을 접지하였음에도 불구하고 13.56MHz 신호가 관측이 되었습니다. 수도관 자체 및 챔버에서 또한 13.56MHz 신호가 관측되었습니다. 

처음에는 RF Power 가 제대로 차페되지 않아 생기는 문제로 추측하여 RF Power 또한 수도관에 접지하였으나 동일한 현상이 발생하였습니다. 또한, RF Power를 챔버에 연결하지 않았을 때는 RF Power 를 인가하는 경우에도 수도관 접지에서 신호가 발생하지 않았습니다.


RF Power 인가 후 관측된 13.56MHz 신호의 평균값은 항상 0V로 관측되었습니다. 또한 RF Power 의 크기를 늘릴 때마다 신호의 Vpp 값이 증가하는 것을 관측하였습니다. (RF Power 자체의 Vpp값은 측정장비가 없어 알 수 없는 상황입니다.)


위와 같은 관측을 했음에도 불구하고, CCP 장비 및 전기 장비에 대한 이해도 부족으로 적절하게 접지가 이뤄져 있는 지 조차 판단이 어렵습니다.

이에, 다음 두가지 사항을 질문드립니다.

1. 일반적으로 CCP를 접지하는 방법 혹은 PAL 에서 CCP를 접지하고 있는 방법

2. 위와 같은 구성에서 접지가 적절하게 이뤄져 있는지를 체크할 수 있는 방법


부디 조언 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77301
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20500
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68949
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
810 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] 17
809 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 20
808 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 30
807 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] 38
806 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 43
805 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 44
804 Druyvesteyn Distribution 54
803 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 60
802 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 60
801 플라즈마 식각 커스핑 식각량 64
800 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 68
799 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 76
798 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 79
797 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 83
796 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 89
795 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 90
794 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 92
793 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 93
792 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 100
791 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 102

Boards


XE Login