안녕하십니까.

산소양이온이 금속전극을 충돌하면, 산소양이온은 무엇으로 변하는지 궁금합니다.


1) 금속표면바로아래의 전자가 터널링에 의하여 나와서 산소양이온과 결합 하여 산소분자로 환원이 되는지?

  - 산소분자로 환원이 된다면, metastable 상태를 거쳐서 산소분자가 되는지..

2) 전자과 결합하는 과정에서 산소원자들이 생성이 되는지?


자료를 찾을 수가 없어서 문의드립니다.


오늘도 좋은 하루 되세요. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77170
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20450
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57349
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68888
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92922
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3237
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2898
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 771
480 wafer bias [1] 1150
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 1157
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 520
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2048
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1055
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1997
474 PEALD관련 질문 [1] 32655
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2316
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3609
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1091
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 741
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4045
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 431
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2382
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1171
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1369
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 963

Boards


XE Login