안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102038
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24528
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61176
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73222
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105416
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2922
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성] [1] 4134
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1347
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 998
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [Self bias 및 플라즈마 방전 매커니즘] [2] 4530
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [VPS] [1] 745
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2783
» 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion] [1] 1400
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위] [3] 1677
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [I-V characteristic 방전 커브] [2] 1218
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2498
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2632
461 Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 2601
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 4344
459 charge effect에 대해 [Self bias 및 capacitively couple] [2] 1839
458 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2139
457 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2045
456 프리쉬스에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion 및 collisionless sheath] [1] 869
455 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1770
454 플라즈마 충격파 질문 [플라즈마 생성에 의한 충격파 현상] [1] 1054

Boards


XE Login