안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77193
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20457
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68897
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92938
705 plasma striation 관련 문의 [1] file 498
704 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 500
703 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 500
702 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 506
701 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 508
700 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 519
699 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 521
698 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 525
697 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 532
696 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 536
695 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 547
694 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 552
693 self bias [1] 552
692 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 554
691 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 555
690 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 566
689 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 574
688 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 575
687 핵융합 질문 [1] 576
686 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 578

Boards


XE Login