ESC ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다.
2021.08.19 14:08
안녕하세요 반도체 관련 현직자 입니다.
ESC Dechuck과 관련해서 Bipolar, Coulombic ESC에서 Back면이 Polished 된 Wafer로 SEA 진행할 경우
Discharge가 제대로 되지 않아 Dechuck을 하지 못하는 Error가 다발하는 경우가 있었는데
Back 면이 Polished 되지 않은, 즉 back면이 Rough한 Wafer로 SEA을 진행하니 Dechuck이 안되던 Error가 말끔히 사라졌습니다.
구글링을 해서 겨우겨우 관련 논문을 찾아서 보다보니
ESC의 MESA부분은 Wafer가 닿게되고 MESA가 없는부분은 Wafer가 닿지 않을텐데
이렇게 MEASA에 닿는부분이 F(contact)이고 닿지 않는부분을 F(Non-Contact)이라고 할때
F(remain) = F(Contact) + F(Non-contact) 이더라구요....
그래서 Non-Contact을 줄이긴 힘들거같고.... 결국은 Non Polished Wafer를 사용하게되면 MESA랑 닿게되는 면적이 줄어들어서
F(Contact)이 작아지게되고 결국 Remain Force가 작아져서 Dechuck이 더 잘되는 mechanism이 맞을까요...??
Chuck, Dechuck System에 대해서 전문적인 지식이 부족하여 관련 지식을 나눠주시면 정말 감사하겠습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77073 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20386 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57296 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68843 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92847 |
| 801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 25 |
| 800 | Druyvesteyn Distribution | 27 |
| 799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 37 |
| 798 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 42 |
| 797 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 43 |
| 796 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 45 |
| 795 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 46 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 54 |
| 793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 77 |
| 790 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 86 |
| 789 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 87 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 90 |
| 787 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
| 786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 98 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 105 |
| 784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 107 |
| 783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 111 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |
ESC 표면도 POLISHING된 표면인가요??
ESC 표면도 돌기 Embossing형상으로 되어있지않나요?