Remote Plasma Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유
2023.12.18 02:36
안녕하세요.
Remote plasma source에 대해 질문 드립니다!
Cleaning을 위한 Remote plasma source에 사용되는
전원회로의 주파수가 주로 400kHz인 이유가 있을까요?
400kHz를 썼을 때 어떤 특성이 좋아지는건가요?
감사합니다!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77156 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20434 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57340 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92908 |
| 742 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24416 |
| 741 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24376 |
| 740 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24205 |
| 739 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24126 |
| 738 | self Bias voltage | 24112 |
| 737 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23998 |
| 736 | 플라즈마 쉬스 | 23984 |
| 735 | Arcing | 23870 |
| 734 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23783 |
| 733 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23475 |
| 732 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23427 |
| 731 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23349 |
| 730 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23279 |
| 729 | DC glow discharge | 23275 |
| 728 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23170 |
| 727 | No. of antenna coil turns for ICP | 23129 |
| 726 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23115 |
| 725 | CCP/ICP , E/H mode | 23092 |
| 724 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22954 |
| 723 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22860 |
낮은 주파수를 사용하면 방전 안전성과 전원 매치의 이득이 클 것 같습니다. 하지만 이온 스퍼터링의 문제는 증가하여 관리에 신중해야 할 것 같습니다. 본 게시판에서 remote plasma을 찾아 보시면 좀 더 정보를 얻으실 수 있으실 것 같네요.