안녕하세요 교수님, 지난 micro arc 답변 감사드립니다.

 

오늘은 임피던스 i 값 관련 질문드립니다, impedance i값이 제 예상과 달라, 어떤 부분을 추가로 고려해야할지 여쭙습니다.

 

CCP type의 pecvd 이고 상황은 이렇습니다.

서로 다른 recipe A, recipB가 있는데, A가 B보다 power가 높아 imp i가 더 작은 음수 값을 가질 것으로 예상했습니다. 이유는 debye length에 따른 쉬스길이가 더 길것이기 때문입니다.(Xc=1/jwc)

하지만 파워값이 적은 B recipe가 오히려 더 낮은 음수값을 가졌습니다.

 

파워 이외에 어떤 변수에 의해 B recipe가 imp i값이 더 작을까요?

B 와 A는 서로 다른 gas를 사용하고, 유량도 다르게 사용됩니다.

다만 공정진행 압력은 둘다 비슷하여 플라즈마 밀도나 전자온도를 어떻게 해석해야 맞는지 조언 부탁드립니다.

 

아래는 대략적인 rcp 입니다, 참고 부탁드립니다.

                      A         B

Power :       500      100

Total Gas : 15000   5000(sccm) 

Imp I.       :  -4          -8

공정 압력.  :   5          7

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76895
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57205
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92718
39 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 217
38 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 211
37 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 208
36 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 203
35 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 202
34 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [2] 197
33 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 191
32 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 189
31 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 187
30 skin depth에 대한 이해 [1] 177
29 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 173
28 corona model에 대한 질문입니다. [1] 171
27 ICP에서 전자의 가속 [1] 169
26 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 157
25 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 155
24 Microwave & RF Plasma [1] 144
23 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 143
22 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 143
21 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 139
» Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 125

Boards


XE Login