플라즈마 공부를 막 시작한 사회 초년생입니다
high votage를 가하면 충돌 단면적이 작아지고 mean free path가 커지는 이유가
궁금합니다.
이온화가 일어날 최대 확률(충돌 단면적)이 100ev에서 발생하는데
그 이상에선 감소하는데 그 이유를 알고싶습니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76900 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20293 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57211 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68762 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
179 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24190 |
178 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24991 |
177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18880 |
176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20980 |
175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22858 |
174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22583 |
173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21773 |
172 | self bias (rf 전압 강하) | 26749 |
» | 궁금합니다 [1] | 16178 |
170 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31580 |
169 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
168 | AMS진단에 대하여 궁금합니다 | 19052 |
167 | Three body collision process | 20651 |
166 | 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. | 17765 |
165 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24893 |
164 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20437 |
163 | 플라즈마의 정의 | 18045 |
162 | Ground에 대하여 | 39484 |
161 | 교재구입 | 20727 |
160 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134453 |