Ion/Electron Temperature RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다.
2011.10.18 16:01
안녕하세요?
장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.
예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는
RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에
밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,
실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까
RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.
소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.
이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?
어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.
답변 주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77150 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20427 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57336 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68883 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92904 |
242 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15813 |
241 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15893 |
240 | corona | 15894 |
239 | Sputter | 15901 |
238 | ICP TORCH의 냉각방법 | 15921 |
237 | k star | 15957 |
236 | 역 수소폭탄에 대하여... | 16009 |
235 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
234 | 플라즈마로 처리가 어떻게 가능한지 궁금합니다. [1] | 16050 |
233 | 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용 | 16082 |
232 | 궁금합니다 [1] | 16179 |
231 | 궁금해서요 | 16321 |
230 | 플라즈마의 어원 | 16348 |
229 | CCP 의 electrode 재질 혼동 | 16517 |
228 | 몇가지 질문있습니다 | 16582 |
227 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16674 |
226 | nodule의 형성원인 | 16767 |
225 | sputter | 16853 |
224 | Virtual Matchng | 16857 |
223 | 플라즈마 처리 | 16936 |