Remote Plasma ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
2012.02.25 11:04
ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..
RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데
그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서
etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데... 이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77138 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20425 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57335 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68873 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92897 |
| » | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24412 |
| 741 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24375 |
| 740 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24203 |
| 739 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24126 |
| 738 | self Bias voltage | 24108 |
| 737 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23996 |
| 736 | 플라즈마 쉬스 | 23979 |
| 735 | Arcing | 23870 |
| 734 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23782 |
| 733 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23472 |
| 732 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23427 |
| 731 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23349 |
| 730 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23278 |
| 729 | DC glow discharge | 23275 |
| 728 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23168 |
| 727 | No. of antenna coil turns for ICP | 23128 |
| 726 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23113 |
| 725 | CCP/ICP , E/H mode | 23091 |
| 724 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22954 |
| 723 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22860 |