지금 모기업에서 인턴을 하면서 CVD파트에 대해서 공부를 하고있습니다.

PECVD를 과정에서 플라즈마의 균일도가 중요 하다고 합니다.

이때 어떠한 변수들이 플라즈마의 균일도에 영향을 주는지 궁급합니다.

 

이와더불어 N2플라즈마와 수소플라즈마의 차이점에 대해서 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77207
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
406 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2498
405 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2476
404 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2442
403 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2431
402 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2426
401 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2403
400 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2403
399 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2391
398 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2387
397 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2387
396 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2376
395 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2369
394 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2366
393 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2365
392 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2360
391 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2349
390 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2348
389 Wafer particle 성분 분석 [1] 2347
388 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2330
387 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2330

Boards


XE Login