Sheath 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리
2015.05.09 12:46
저는 최근 반도체 증착장비에 대해 공부하다 플라즈마에 대해 궁금증이 생겨서 질문을 남깁니다.
스퍼터링법에서 플라즈마 발생 원리는 챔버내에 가스를 주입하고 타겟(도체)에다 DC전원으로 음전압을 가해주어 타겟이 음극이 되게되고
음극이 된 타겟에서 전자들이 튀어나와 가스들과 충돌하고 가스들이 전자의 에너지를 받아 이온화가 되어 양이온과 전자로 나눠지게 되는 플라즈마 상태가 형성되는걸로 알고 있습니다.
하지만 도체인 타겟말고 부도체인 타겟을 사용하게 될때는 DC말고 RF파워를 사용을 한다고 하는데
타겟이 도체인 경우 음전압을 가해주면 전자의 이동이 쉬워 음극이 되게되고 이 음극이 된 타겟에서 전자들이 나와 가스와 충돌하여 플라즈마가 되는데
타겟이 부도체인경우 RF파워로 음전압 가해주어도 전자의 이동이 쉽지가 않으니 음극이 되지 않아 전자가 방출이 되지 않아서 플라즈마가
생성이 되지 않는다고 생각이 되는데 어떻게 해서 타겟이 부도체인데 플라즈마가 형성이 되는지 궁금해서 질문을 드립니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77222 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20468 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68902 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92950 |
| 806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 13 |
| 805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 26 |
| 804 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 27 |
| 803 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 37 |
| 802 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 44 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 49 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 54 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 59 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 61 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 69 |
| 796 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 77 |
| 795 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 78 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 83 |
| 793 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 86 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 89 |
| 791 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 91 |
| 790 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 91 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 102 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 112 |
| 787 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 120 |