안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하고있는 직장인입니다.

etch 장비에서 초기 reflect power 안정화를 위해 shunt / series 값을 tuning 하여 어느정도 개선은 하였는데

전환되는 step 에서는 reflect power 를 빠르게 안정시킬 수 있는 방법이 궁굼합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76968
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20328
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57247
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68798
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92788
801 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 14
800 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] update 16
799 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 19
798 Druyvesteyn Distribution 24
797 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 31
796 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 36
795 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 38
794 플라즈마 식각 커스핑 식각량 41
793 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 66
792 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 74
791 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 75
790 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 77
789 플라즈마 설비에 대한 질문 81
788 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 83
787 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 86
786 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 95
785 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 96
784 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 98
783 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 103
782 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 124

Boards


XE Login