Etch etching에 관한 질문입니다.
2018.08.14 14:59
안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.
가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.
ethcant gas인 ch4는 고정시키고
Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.
질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?
질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76895 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92718 |
| 419 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1]  | 1070 |
| 418 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17513 |
| 417 | 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] | 471 |
| 416 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 854 |
| 415 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 710 |
| » | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2274 |
| 413 | 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] | 3448 |
| 412 | RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] | 5692 |
| 411 | DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] | 5478 |
| 410 | (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] | 485 |
| 409 | Si Wafer Broken [2] | 2542 |
| 408 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1442 |
| 407 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1329 |
| 406 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 944 |
| 405 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2343 |
| 404 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26209 |
| 403 | Collisional mean free path 문의... [1] | 795 |
| 402 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2345 |
| 401 | 플라즈마 색 관찰 [1] | 4315 |
| 400 | 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] | 14145 |