안녕하세요. 서울대학교 재료공학부 오규환 교수님 연구실 박사과정 정제준입니다.

SiC 샘플에 plasma etching을 하려고 하는데 CF4 or O2 플라즈마를 이용해서 실험을 해보려고 합니다.

1. 플라즈마 응용연구실에서 장비가 있다면 사용이 가능한지요?

2. SiC etching에 다른 플라즈마 소스를 추천해주신다면 어떤게 있을까요?

3. 장비가 없으시면 다른곳을 추천해주시면 감사하겠습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77078
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20392
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57300
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68845
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92853
481 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1569
480 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1570
479 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1617
478 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1635
477 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1635
476 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1667
475 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1675
474 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1682
473 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1683
472 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1686
471 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1698
470 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1711
469 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1714
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1717
467 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1763
466 터보펌프 에러관련 [1] 1773
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1775
464 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1795
463 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1825
462 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1825

Boards


XE Login