안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77121
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20415
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57327
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68865
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92886
661 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 643
660 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 646
659 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 660
658 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 664
657 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 667
656 plasma 공정 중 색변화 [1] 672
655 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 681
654 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 682
653 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 693
652 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 693
651 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 696
650 Polymer Temp Etch [1] 698
649 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 708
648 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 710
647 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 713
646 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 720
645 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 724
644 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 733
» 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 736
642 ICP 후 변색 질문 739

Boards


XE Login