Plasma in general CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다.
2019.10.17 14:03
안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.
기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!
CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.
사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.
Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)
다만 한가지 의심이 드는건, ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데...
이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77182 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20453 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57351 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68891 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92929 |
524 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9558 |
523 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9537 |
522 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9270 |
521 | 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] | 9269 |
520 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9059 |
519 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 9024 |
518 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8939 |
517 | Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. | 8778 |
516 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8775 |
515 | 수중플라즈마에 대해 [1] | 8772 |
514 | RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] | 8658 |
513 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8632 |
512 | N2 환경에서의 코로나 방전을 통한 이온생성에 대한 질문입니다. [1] | 8631 |
511 | Microwave 장비 관련 질문 [1] | 8586 |
510 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8582 |
509 | 핵융합에 대하여 | 8564 |
508 | 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다. [1] | 8156 |
507 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8131 |
506 | 고온 플라즈마 관련 | 8090 |
505 | 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] | 8074 |