Deposition 질문있습니다 교수님
2020.05.06 15:46
안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.
4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.
이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.
PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..
어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77170 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20450 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57349 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92922 |
723 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22801 |
722 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22709 |
721 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22641 |
720 | Peak RF Voltage의 의미 | 22632 |
719 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22585 |
718 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22560 |
717 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22273 |
716 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22264 |
» | 질문있습니다 교수님 [1] | 22213 |
714 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22162 |
713 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22104 |
712 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 22013 |
711 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21961 |
710 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21931 |
709 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21779 |
708 | manetically enhanced plasmas | 21664 |
707 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21633 |
706 | ccp-icp | 21566 |
705 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21550 |
704 |
F/S (Faraday Shield)
![]() | 21534 |