안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.

 

ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면

 

RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요

 

Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77284
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20486
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68931
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92985
629 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 796
628 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 800
627 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 803
626 Collisional mean free path 문의... [1] 807
625 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 809
624 플라즈마 충격파 질문 [1] 817
623 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 819
622 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 820
621 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 825
» ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 829
619 라디컬의 재결합 방지 [1] 829
618 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 835
617 RF 파워서플라이 매칭 문제 847
616 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 848
615 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 850
614 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] 854
613 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 858
612 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 860
611 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 865
610 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] 867

Boards


XE Login