Matcher 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산]

2021.05.17 15:38

피했습니다 조회 수:2144

안녕하세요. 반도체 장비 기업에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 CCP 방식을 쓰는 장비를 운용하기 위해서 매칭을 하는데,

 

매칭을 잘? 혹은 효율적으로 빠르게 하기 위해서 처음에 Shunt, Series 값을 지정해 주고 있습니다.

 

그렇게 하래서 하고는 있는데 이 값들이 매칭에 어떤 영향을 끼치게 되는 것인지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 80787
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21600
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70027
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95312
384 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3091
383 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3170
382 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3193
381 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3239
380 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3249
379 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3319
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3352
377 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3360
376 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3401
375 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3401
374 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3429
373 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3438
372 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3461
371 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 3480
370 코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해] [1] 3522
369 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher] [2] 3548
368 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압] [1] 3620
367 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 3640
366 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3655
365 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 3661
쓰기
태그

Boards

XE Login