Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
2021.05.25 11:57
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.
에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에
60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..
27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..
매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데
어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77200 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20461 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57359 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68898 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92944 |
| 806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 3 |
| 805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 11 |
| 804 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 22 |
| 803 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 36 |
| 802 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 36 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 45 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 52 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 58 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 59 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 66 |
| 796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 70 |
| 795 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 76 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 79 |
| 793 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 85 |
| 792 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 86 |
| 791 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 87 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 90 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 102 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 110 |
| 787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 116 |