Sheath CVD 공정에서의 self bias

2021.06.13 19:47

박관호 조회 수:3191

안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.

 

self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.

1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과

2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

 

실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..

 

사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..

그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???

(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)

 

만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????

 

학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..

많이 배워가고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77141
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20426
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57335
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68877
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92900
802 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 16
801 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 28
800 Druyvesteyn Distribution 32
799 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 47
798 플라즈마 식각 커스핑 식각량 48
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 48
796 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 49
795 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 60
794 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 61
793 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 69
792 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 77
791 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 78
790 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 88
789 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 93
788 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 99
787 플라즈마 설비에 대한 질문 99
786 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 105
785 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 109
784 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 118
783 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 118

Boards


XE Login