건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77104
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20405
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57315
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68855
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92870
321 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1571
320 plasma 형성 관계 [1] 1563
319 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1544
318 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1542
317 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1540
316 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1533
315 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1525
314 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1497
313 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1492
312 charge effect에 대해 [2] 1489
311 ICP lower power 와 RF bias [1] 1488
310 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1486
309 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1478
308 알고싶습니다 [1] 1475
307 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1474
306 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1471
305 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1470
304 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1461
303 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1458
302 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1454

Boards


XE Login