Others RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유

2022.07.08 16:18

빡깽 조회 수:1278

안녕하세요. 최근 RF Power Reflect 감소를 위해 Plasma에 대해 공부하고 있는, 반도체 회사 직장인입니다.

 

다름이 아니라, RF Power의 Hunting성 Reflect를 감소하기 위해 Gas Flow를 Ramping 형식으로 평가한 자료를 보내되었습니다.

Gas를 이와 같이 점진적으로 증가시키며 Flow할 때와, 한번에 Set Flow를 했을 때

Plasma 형성의 차이와, 왜 이 같은 방식이 RF Power의 Hunting을 감소시키기 위한 방안인지에 대한 상관관계에 대해 궁금증이 생겨 글을 남기게 되었습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77134
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20421
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57333
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68871
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92894
» RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1278
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 708
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 614
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1497
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 494
657 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1108
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] 602
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1023
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 600
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1076
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1575
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 908
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2080
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 851
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4173
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1159
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 984
645 plasma 형성 관계 [1] 1565
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 3014
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3477

Boards


XE Login