Etch Sticking coefficient 관련 질문입니다.
2022.10.29 13:14
안녕하십니까. 장비사에서 식각 공정 개발 업무를 맡고 있는 김노엘 입니다.
공부하던 중, ESC 온도 증가에 따른 Sticking coefficient 관련 궁금한 점이 생겨 질문을 남기게 되었습니다.
보통 HAR 구조 식각 시 Sticky한 성질을 갖고 있는 gas가 bottom 으로 들어가지 못하고 top 에 쌓여 식각 profile이 불균일해지는 문제가 있음을 알게 되었습니다. 이에 대한 해결책은 ESC 온도를 증가시키는 것이었고 gas가 덜 Sticky해져 profile이 개선됨을 확인할 수 있었습니다.
여기서 궁금한 점이 있습니다.
Q) 본래 기체는 온도 증가에 따라 점성이 증가한다고 알고 있습니다. 식각공정의 경우 ESC 온도를 증가시키면 wafer에 열전달이 일어날 것이고 그 열이 기체에 전달된다면 기체의 점성이 증가해 오히려 더욱 sticky 해 질것으로 생각됩니다만, 오히려 ESC 온도 증가에 따라 gas가 덜 sticky해 진다고 하니 이해가 어렵습니다. 제가 잘못 생각한 부분이 있는 거 같은데 정확한 메커니즘에 대해 설명을 듣고 싶습니다.
--------
Q) 추가적으로 RF frequency에 따른 ion과 electrom의 거동에 대한 질문이 있습니다. CCP 구조의 식각 chamber의 경우 bias electrode 쪽에 low frequncy(LF)와 high frequncy(HF)의 RF generator를 사용한다고 알고 있습니다. 이때, LF의 용도가 궁금합니다. ion을 더 강하게 당기는 역할을 한다고 알고 있는데,, 각 frequncy에 따른 ion의 움직임을 어떤 plasma theory로 해석해서 생각할 수 있는지 궁금합니다.
타 산업에 종사하다 플라즈마를 다루는 공정개발 업무를 하게 되어 어려운 부분이 많습니다. 교수님께서 만들어 주신 본 홈페이지 덕분에 많이 배우고 공부하고 있습니다. 정말 감사합니다.
김노엘 드림.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77021 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20349 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57272 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68817 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92817 |
801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 24 |
800 | Druyvesteyn Distribution | 26 |
799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 30 |
798 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 36 |
797 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 39 |
796 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 42 |
795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 45 |
794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 46 |
793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 77 |
790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 85 |
789 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 85 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 86 |
787 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 93 |
786 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 104 |
784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 105 |
783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 106 |
782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |