Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68759 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
699 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1204 |
698 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 373 |
697 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1473 |
696 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 589 |
695 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 173 |
694 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 900 |
693 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 622 |
692 | 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] | 620 |
» | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28968 |
690 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 390 |
689 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 737 |
688 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 745 |
687 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1144 |
686 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2362 |
685 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1103 |
684 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 780 |
683 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 993 |
682 | RF Sputtering Target Issue [2] | 617 |
681 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 615 |
680 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1906 |