Etch 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘
2023.05.19 12:58
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.
plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?
또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.
chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76985 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20334 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57256 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68802 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92801 |
761 | 플라즈마 온도 | 27825 |
760 | DBD란 | 27758 |
759 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27653 |
758 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27223 |
757 | 이온과 라디칼의 농도 | 27027 |
756 | self bias (rf 전압 강하) | 26756 |
755 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26492 |
754 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26227 |
753 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26224 |
752 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26191 |
751 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25589 |
750 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24992 |
749 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24901 |
748 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24893 |
747 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24781 |
746 | plasma와 arc의 차이는? | 24778 |
745 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24769 |
744 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24676 |
743 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24629 |
742 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24525 |