Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.

2023.06.26 10:34

ETCH식각 조회 수:768

안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77266
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20479
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57385
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68916
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92965
187 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 824
186 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 819
185 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 818
184 플라즈마 충격파 질문 [1] 816
183 Collisional mean free path 문의... [1] 806
182 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 805
181 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 801
180 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 800
179 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 796
178 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 785
177 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 784
176 교수님 질문이 있습니다. [1] 781
175 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 774
174 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 773
173 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 769
» 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 768
171 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 763
170 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 762
169 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 761
168 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 758
쓰기
태그

Boards

XE Login