Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.
2023.06.26 10:34
안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.
다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.
METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.
이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..
도움 부탁드립니다. 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77193 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20457 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57356 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92938 |
801 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 145501 |
800 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134462 |
799 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95836 |
798 | Plasma source type | 79725 |
797 | Silent Discharge | 64562 |
796 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 55000 |
795 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47967 |
794 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43715 |
793 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41291 |
792 | 대기압 플라즈마 | 40722 |
791 | Ground에 대하여 | 39513 |
790 | RF frequency와 RF power 구분 | 39113 |
789 | Self Bias | 36403 |
788 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35986 |
787 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34970 |
786 | PEALD관련 질문 [1] | 32656 |