Chamber component chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의
2023.07.08 03:24
안녕하세요, 플라즈마 설비를 담당하는 엔지니어입니다.
입사한지 오래되지않아 플라즈마 관련 공부에 정말 많은 도움이 되었습니다 감사합니다.
제 질문은 실제 챔버에 인가 되는 W값이 궁금한 것인데요, 다음과 같은 현상을 보던 중 생긴 의문입니다.
MATCHER에 대해 공부를 끝 마친 뒤, 실제 PECVD CHAMBER에 인가되는 POWER의 파형이 궁금하여 확인 해봤는데,
특정 상수값에서(ex: 1000W) 아주 미세하게 진동하는 Trend 였습니다.
이를 받아 들이기 힘든 이유는
1. 제가 기대했던 파형과 달랐습니다. 매칭을 끝 마쳤으므로 V와 I는 위상이 MATCHING 되어, 이 둘의 곱인 파형을 기대 했습니다.
matcher를 거친 Voltage signal은 sin wave 일 것이고, Current Signal 역시 마찬가지이니까요. 이 둘의 곱인 Power 역시 Wave 일텐데 그러지 않았습니다.
2. 만일 제가 모르는 DC POWER가 있다 할지라도, DC+AC SIGNAL을 인가 하는 것 이므로, 전기장의 방향은 항상 일정핱것이고 플라즈마가 유지되지 않을테니까요
3. RF 설비에서 플라즈마를 생성할 때, HF power의 Watt 값을 set 할 수 있는 것으로 알고 있는데, 이 값 역시 상수로 알고 있습니다.
이는 진폭을 의미하는 것 일까요?
AC POWER SUPPLY에 대한 이해가 부족한 것 같은데... 측정한 값 역시 이해하는데 어려움이 있어 질문 드립니다, 귀한 시간 내주셔서 진심으로 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77018 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20348 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57271 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68816 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92816 |
761 | 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] | 219 |
760 | 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] | 226 |
759 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 235 |
758 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 239 |
757 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 240 |
756 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 259 |
755 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 260 |
754 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 267 |
753 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 272 |
752 | RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] | 276 |
751 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 295 |
750 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 302 |
749 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 306 |
748 | E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] | 325 |
747 | Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] | 325 |
746 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 326 |
745 | RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] | 328 |
744 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 331 |
743 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 331 |
742 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 336 |