Chamber component 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문
2023.08.17 10:01
안녕하세요.
저는 현재, 반도체 시장 조사 업무를 하고있는 직장인 석현준이라고 합니다.
명실상부 대한민국 최고의 플라즈마 랩실에 자유롭게 질문을 올릴 수 있어서 개인적으로도 정말 큰 도움이 되고,
크게 보면 산학연 협력의 선순환이 현장에서 이루어지고 있는 곳이라고 생각합니다. 정말 감사합니다.
다름이 아니라, 제가 플라즈마 장비의 전원공급장치에 대해서 잘 모르는게 있어서 문의드리게 되었습니다.
플라즈마 장비의 전원 공급장치는 RF Generator를 쓰거나, DC Power supply를 사용하는 것으로 알고있습니다.
저의 짧은 지식으로 분류하면 아래와 같습니다. (아니라면 지적 부탁드립니다.)
- RF : ICP, CCP, CVD, ALD...(유전체 식각, 증착)
- DC : PVD(메탈증착), 스크러버(그냥 파워만 인가하면 되는 용도)
여기서, 그러면 Pulsed DC Supply는 어디에 사용하는 것인지, RF와의 차이점은 무엇인지가 궁금합니다.
장비사 입장에서 전원공급장치를 달 때, Pulsed DC를 다는 경우와 RF를 다는 경우가 나뉠텐데
그 기준이 어떤지도 잘 몰라서 문의드리게 되었습니다.
감사합니다.
PS. 자주 눈팅하면서 여러 정보들을 얻고 있습니다.
더불어 플라즈마 지식도 수 있는 공간을 제공해주셔서 감사합니다 ^^
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77210 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68901 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
766 | 플라즈마 온도 | 27847 |
765 | DBD란 | 27776 |
764 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27669 |
763 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27237 |
762 | 이온과 라디칼의 농도 | 27056 |
761 | self bias (rf 전압 강하) | 26780 |
760 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26511 |
759 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26298 |
758 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26245 |
757 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26217 |
756 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25596 |
755 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24996 |
754 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24914 |
753 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24906 |
752 | plasma와 arc의 차이는? | 24850 |
751 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24790 |
750 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24787 |
749 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24704 |
748 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24653 |
747 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24531 |