PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.

이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.

제 생각에는 

1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기

이러한 방법은 가능한 방법들일까요??

다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다