ICP ICP에서 전자의 가속
2024.02.29 14:09
안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.
쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.
ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요?
추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76978 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20331 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57251 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68800 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92794 |
41 | 플라즈마 온도 | 27825 |
40 | 탐침법 | 27878 |
39 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27889 |
38 | esc란? | 28099 |
37 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 28400 |
36 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 28573 |
35 | 반도체 관련 질문입니다. | 28580 |
34 | Arcing [1] | 28672 |
33 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28949 |
32 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28972 |
31 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29283 |
30 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29403 |
29 | 플라즈마의 정의 | 29491 |
28 | matching box에 관한 질문 [1] | 29698 |
27 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29781 |
26 | 플라즈마 밀도 | 30036 |
25 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30089 |
24 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31584 |
23 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31691 |
22 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 32032 |