Etch ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
2024.09.05 12:35
안녕하세요
처음으로 이렇게 문의드리게 되었습니다.
본론부터 바로 말씀드리면 현재 저희 회사에서 사용중인
ICP 장비 TCP Matcher 교체 후 Reflect 가 기존대비 2w정도 높게 발생중입니다.
처음엔 임피던스 측면에서 접근하여 matcher 도 재교체 해보고 그외 Power 계통 파츠를 전부 바꿔보아도 현상이 동일하였습니다.
그러다 최근에 pressure 를 기존대비 1mtorr정도 올리니 정상수준으로 reflect가 개선이 되어
현상을 plasma density가 너무 높아 reflect가 발생하는것으로 추론하여
업무를 진행하였는대요.
Plasma density를 낮춰보기위해 top power 부근 heating 온도나 chamber wall temp 등 낮춰보고
TcP Power도 낮춰서 레시피평가를 해보았지만 reflect는 잡히지 않았습니다..
혹시 pressure를 올렸을때 정상이 되는 관점에서 다른 원인을 추론해볼만한 현상이 있을가요?
그와 관련된 현상으로 업무진행방향을 다시 검토해보고자 합니다