안녕하세요 etch 공정 인턴십을 진행하고 있는 학부생입니다.

제가 공부한 바로는 E/R은 etch 설비의 gas flow system과도 연관이 있는 것으로 알고 있습니다.

가령 1시영역에서 gas가 분출되서 7시 영역으로 pumping out이 되는 시스템에서는 wafer 7시 영역에서 gas 유속이 빨라 E/R이 높은 것으로 알고 있습니다.

이를 기반으로 12시에 6시 즉, 수직방향으로 gas가 흘러나가는 system에서는 gas가 center 영역에서 edge영역으로 빠져나갈 것이라 생각했고,

그래서 공정압력을 낮추면 wafer edge 영역에서의 gas 유속이 더 높아져 edge 영역의 E/R을 높일 수 있지 않을까 생각했습니다.

E/R이 챔버의 flow? vacuum? 시스템 design과 연관이 있는지, 또한 수직방향으로 gas가 흘러나가는 시스템에서 공정압력을 낮추면 edge 영역의 E/R을 높일 수 있는지

제가 생각한 개?이 타당한지 궁금해서 질문드립니다. 감사합니다!