Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power]
2011.12.07 17:12
안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.
궁금점에 대해 여쭈어 봅니다
일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.
PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.
일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.
Forword Power [%]
Reflect Power [W]
Bias(Vpp) Power
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76984 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20333 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57256 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68802 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92800 |
| 261 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12775 |
| 260 | 상압 플라즈마에 관하여 문의 드립니다. [1] | 8151 |
| 259 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 10029 |
| 258 | 고온 플라즈마 관련 | 8090 |
| 257 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9047 |
| 256 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8582 |
| 255 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13069 |
| 254 | MFP에 대해서.. [1] | 7831 |
| 253 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6570 |
| 252 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7710 |
| 251 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10324 |
| 250 | 플라즈마 발생 억제 문의 [1] | 8128 |
| 249 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24374 |
| 248 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15891 |
| 247 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15813 |
| 246 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22224 |
| 245 | cross section 질문 [1] | 19724 |
| » | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29283 |
| 243 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17746 |
| 242 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21203 |