Etch RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이

2017.01.17 17:27

블라디 조회 수:6324

안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77246
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57377
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68905
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92955
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5976
325 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6016
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6113
323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6123
322 자료 요청드립니다. [1] 6214
321 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6319
» RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6324
319 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6338
318 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6376
317 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6413
316 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6424
315 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6469
314 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6472
313 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6481
312 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6504
311 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6516
310 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6543
309 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6573
308 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6724
307 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6838
쓰기
태그

Boards

XE Login