Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2352

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76985
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20334
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57257
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68803
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92801
441 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 2000
440 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2001
439 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2020
438 chamber impedance [1] 2021
437 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2028
436 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2032
435 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2039
434 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2077
433 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2102
432 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2110
431 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2114
430 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2149
429 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2152
428 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2181
427 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2252
426 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2255
425 플라즈마볼 제작시 [1] file 2258
424 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2270
423 etching에 관한 질문입니다. [1] 2278
422 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2289

Boards


XE Login