Monitoring Method Plasma 발생영역에 관한 질문
2018.10.16 16:20
Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.
플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.
플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데
질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요?
질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76895 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
795 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144650 |
794 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134453 |
793 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95775 |
792 | Plasma source type | 79696 |
791 | Silent Discharge | 64561 |
790 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54959 |
789 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47908 |
788 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43709 |
787 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41273 |
786 | 대기압 플라즈마 | 40716 |
785 | Ground에 대하여 | 39483 |
784 | RF frequency와 RF power 구분 | 39092 |
783 | Self Bias | 36391 |
782 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35963 |
781 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
780 | PEALD관련 질문 [1] | 32647 |