안녕하세요. 제가 최근에 플라즈마 코팅관련 회사에 입사하여 현재 플라즈마 공부중 입니다.

현재 VPS장비로 테스트 중인데 0~1 torr 보다 30~50 torr 일 떄 플라즈마제트의 모습이 훨씬 안정적인 이유를 어떻게 설명할 수 있을까요?

0~1 torr 일 때는 플라즈마의 형상이 지나치게 두껍고 불안정적인 모습입니다. 반면 챔버 내부의 압력을 증가시켰을 때는 훨씬 안정적이고

얇은 플라즈마의 형태를 띄고 있습니다. 이를 residence time과 관련해서 이해를 해야할까요?

아직 많은 논문들을 찾진 못했지만 대부분의 논문에서도 30~300 torr로 실험한 조건들이 많아 보였습니다.

또 다른 한가지 질문은 VPS 공정에서 분위기가스 즉 챔버내를 아르곤같은 불활성기체로 채워주는 이유는 단순하게 산화나 질화등을 막기

위함인가요? 분위기가스의 역할을 어떻게 정의하면 될까요?

기초적인 질문 죄송합니다. 답변 주시면 감사하겠습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77170
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20450
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57349
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68888
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92922
483 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6308
482 자료 요청드립니다. [1] 6212
481 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6114
480 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6089
479 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5990
478 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5964
477 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5947
476 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5861
475 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5709
474 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5621
473 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5503
472 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5437
471 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5268
470 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5215
469 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5120
468 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4868
467 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4579
466 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4382
465 플라즈마 색 관찰 [1] 4344
464 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4333

Boards


XE Login