안녕하세요 반도체 회사에 다니고있는 구성원입니다.

에칭장비를 담당하는데, 챔버 pm후 RF가 세팅값까지 안올라오는 경우

오토매칭을 사용하지 않고, 매쳐의 LOAD,TUNE값을 조절해서 RF POWER를 원하는 값으로 맞추는데요

원리를 모르고 하다보니, 시간이 오래걸리고, 조절하다보면 FORWARD값은 맞춰지지만 REFLECT값도 함께 올라가서

애를먹는 경우가 있습니다

매쳐에서 LOAD, TUNE의 역할은 무엇인가요??? 또한 원하는 FORWARD/REFLECT값을 얻기위해 LOAD/TUNE 조절을 쉽게 할 수 있는 방법이 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77211
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
546 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1185
545 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1187
544 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1200
543 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1205
542 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1210
541 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1214
540 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1226
539 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1235
538 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1236
537 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1253
536 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1258
535 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1261
534 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1271
533 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1283
532 플라즈마 챔버 [2] 1286
531 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1293
530 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1296
529 플라즈마 기초입니다 [1] 1301
528 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1322
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1326

Boards


XE Login